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图十三各成分的高熵合金的微观组织和在室温和高温下圧缩曲线NO.8Stackingfaultenergyofface-centered-cubichighentropyalloys亮点：短期的自为了揭示元素组分对层错能的影响以及层错能与HEAs的关系，短期的自选择了NiCoCr,FeCoNiCr,FeCoNiCrMn,(FeCoNiCr)94Mn6,(FeCoNiCr)86Mn14 和 Fe20Co15Ni25Cr20Mn20作为研究对象。最好在800℃退火后也观察到第二个HCP相的形成。
结果表明，护后的悔恨合金在600℃时效10h后，显微硬度由均化状态下的370HV提高到500HV，硬化与合金基体中富HF、Ta HCP颗粒的析出有关。却也在300℃和1100℃之间进行了各种热处理。迟滞扩散效应也赋予了它突出的抗蠕变性能，预订同时CoCrFeNi基优异的低温拉伸性能以及ZrHfTaW等难熔金属优良的高温压缩性能，预订这些性能都给高熵合金替代传统金属带来了可能，使得高熵合金很大的应用前景。
研究发现，下多在低轧制减薄率（40%）下，下部结构强化占主导地位，而在高应变下，晶粒（孪晶）边界强化占主导地位。不表白活化体积的数值和趋势与将HEA视为高浓度固溶强化合金的理论预测一致。
一种等原子单相TiZrNbHfTa高熵合金经高压扭转处理，短期的自晶粒尺寸小于100nm。
随着Mo含量从0%增加到16%时，最好（CoCrCuFeNi）（100-x）Mox-HEA的相结构由FCC转变为BCC，最好BCC体积分数从0%增加到65%，其压缩屈服强度从260兆帕增加到928兆帕，VEC从8.8降低到8.3。同时，护后的悔恨司宏国称目前计划在明年第一季度推出下一代XR芯片，护后的悔恨将比MetaQuest头显采用的第二代芯片（XR2）更加先进，预计在图形处理能力、视频透视能力和AI性能均会优于第二代芯片。
司宏国对XR设备的前景表示看好：却也我们认为2024年将是VR、AR设备的增长高峰年，未来2-5年是持续增长期。此外，预订LG还表示当前正在开发智能眼镜。
司宏国表示，下多LG在多个领域具有专长，而三星自从宣布与高通、谷歌合作以来，就已经取得了很多进展。注：不表白三星、不表白高通和谷歌曾于今年2月宣布结成XR联盟，LG总裁赵柱完（音译）也在今年7月举行的中长期业务战略新闻发布会上谈到XR时表示，当时正与几家公司接触并研究商业化的可能性
